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是近年来中低压以及高压电缆采用的主要形式。存在的不足在于对电缆的绝缘层外径尺寸要求高,通常的过盈量在2~5mm(即电缆绝缘外径要大于电缆附件的内孔直径2~5mm),过盈量过小,电缆附件将出现故障;过盈量过大,电缆附件非常困难(工艺要求高)。
同样因为这个原因,在网上寻找的如-2所示的电路也以失败告终。为了能够对差分放大电路统一的参考基准 终对-2进行修改,分别从差分输入的+端和-端引一个大电阻到测试系统的“地”,因为是单电源放大考虑到LM358的共模输入信号范围0-VCC-1.5V,由于二极管限幅,二极管两端电压 多0.7V,又因为对于去其中间电平连接到地,正负端对地输入的电压范围为-0.35到+0.35。 终电路如所示,该电路可以实现设计功能。电流电压驱动问题由于单片机输出有限,当负载很多的时候需要另外加驱动芯片,比如74HC245八、上拉电阻上拉电阻选取原则从节约功耗及芯片灌电流能力考虑应当足够大;电阻大,电流小。从确保足够的驱动电流考虑应当足够小;电阻小,电流大。对于高速电路,过大的上拉电阻可能会导致边沿变平缓。综合考虑:上拉电阻常用值在1K到10K之间选取,下拉同理。上下拉电阻上拉就是将不确定的信号通过一个电阻嵌位在高电平,下拉同理。正接时候,R1VGS电压,MOS饱和导通。反接的时候MOS不能导通,所以起到防反接作用。功率MOS管的Rds(on)只有20mΩ实际损耗 .08W根本不用外加散热片。解决了现有采用二极管电源防反接方案存在的压降和功耗过大的问题。VZ1为稳压管防止栅源电压过高击穿mos管。NMOS管的导通电阻比PMOS的小,选NMOS。NMOS管接在电源的负极,栅极高电平导通。
公司本着“为人类节省资源,为社会节约财富”的宗旨,以“诚信为本,服务为先,环保为主”的经营理念。
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